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3.7-4.8μm

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3.7-4.8μm增透膜

发布时间：2024-06-26

浏览量：160

产品简介：制冷型红外探测器的常用工作波段之一。InAs、InSb、PbS、PbSe 等红外探测器的响应波段。典型参数如下：基板：锗、单晶硅、硫化锌等光谱特性：Tave >99% @3.7-4.8μm

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详细信息

制冷型红外探测器的常用工作波段之一。InAs、InSb、PbS、PbSe 等红外探测器的响应波段。典型

参数如下：

基板：锗、单晶硅、硫化锌等光谱特性：Tave >99% @3.7-4.8μm

热品推荐 / Hot product

: TFP典型参数

薄膜特性：56°入射， Tp > 98%，Rs > 99.7% @1064nm面形特性：Φ50.8mm×8mm ，透射PV<λ/10，反射PV<λ/8（λ=632.8nm）损伤阈值：S 光> 35J/cm2 ， P 光> 18J/cm2 @1064nm，3ns应用场景：人造太阳、神光项目镜片；激光器

: 激光保护片

薄膜特性：T＞99.9%@1030-1090nm。损伤特性：＞50KW/cm2 或＞25J/cm2，1064nm，5ns,10Hz ；吸收小于1PPM应用场景：人造太阳、神光项目镜片；切割机、焊接机的保护片和振镜等；半导体激光器芯片和巴条

: 8-14um滤光片

应用于运动、入侵传感器和人体成像检测等。典型参数如下：基板：锗、单晶硅等光谱特性： Tave >80%@8-14μm， T<1%@1.5-7μm

: 4.26um 带通滤光片

应用于CO2 气体检测。要求4.26μm 波段透过率尽量高，1.5-14μm 透过率尽量低。典型参数如下：基板：蓝宝石、单晶硅等光谱特性：T>85%@4.26μm，T<1%@1.5-14μm，半峰宽210nm

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